[아이뉴스24 민혜정 기자] 1983년 2월8일, 고(故) 이병철 삼성 창업 회장은 반도체 중에서도 첨단 기술인 초고밀도집적회로(VLSI)에 대규모 투자를 한다고 선언했다. 그 유명한 '도쿄 선언'이다.
당시 삼성은 가전제품용 고밀도집적회로(LSI)도 겨우 만들던 때라 미국 인텔이 이를 "과대망상증 환자"라고 비웃었다. 이병철 회장은 당시 인터뷰에서 "잘못하면 삼성그룹 절반 이상이 날아갈지도 모른다고 생각했다"면서도 "삼성이 아니면 이 모험을 하기 어렵다고 봤다"고 말했다.
8일 업계에 따르면 이날 이병철 회장이 '도쿄 선언'을 한지 40주년이 된다. 삼성은 지난 40년간 유례 없는 '반도체 신화'를 쓰며 이병철 회장의 선언을 허언으로 만들지 않았다.
삼성전자는 도쿄선언 이후 급속도로 반도체 사업을 육성했다. 1985년 반도체 수출 1억 달러를 달성한 후 다음해엔 1M D램을 개발해 경쟁력을 보여줬다.
1992년엔 세계 처음으로 64M D램을 개발하며 세계 최강 삼성 메모리의 역사를 쓰기 시작했다. 그해 처음 삼성은 세계 D램 시장에서 출하량 기준 1위에 올랐다.
도쿄 선언 10년 후인 1993년 삼성전자는 세계 메모리 반도체 시장 1위에 올랐다. 이후에도 '세계 최초' 행진이 이어졌다. 2000년대 들어선 낸드플래시 시장에서 영향력을 확대했다. 2013년엔 셀을 수직(V)으로 쌓는 방식의 24단 V낸드를 선보였다. 낸드 적층 경쟁 시대를 연 셈이다. 현재 삼성은 D램과 낸드 시장에서 공고히 1위 자리를 지키고 있다.
이병철 창업 회장과 이건희 선대 회장은 이처럼 메모리반도체에서 1등 리더십을 입증했다. 공은 이제 이재용 회장에게 넘겨졌다. 이재용 회장은 메모리반도체 정상을 지키면서 시스템반도체 경쟁력도 높여야 하는 과제를 안고 있다.
삼성전자 반도체는 삼성의 현재를 책임지면서 미래도 보여주는 사업이다. 지난해 4분기 삼성전자 반도체 부문의 영업이익이 2천억원 수준으로 겨우 적자를 면하자 시장 곳곳에서 삼성의 앞날을 우려했을 정도다.
삼성은 반도체 위탁생산(파운드리)은 대만 TSMC, 애플리케이션 프로세서(AP)는 퀄컴, 이미지센서는 소니 등에 밀리면서 시스템반도체 생산과 설계 능력에도 여전히 의문 부호가 붙고 있다.
이같은 상황에서 이재용 회장은 투자를 줄이지 않고 첨단 반도체 기술력으로 승부하는 정공법을 택했다. 삼성전자는 당장 올해 시설투자 규모도 지난해(53조원)와 유사한 수준으로 집행키로 했다.
삼성전자는 지난해 6월 세계 최초로 3나노미터(nm, 1나노는 10억 분의 1m) 반도체 양산을 시작했고, 내년 3나노 2세대, 내후년엔 2나노 반도체를 생산할 예정이다.
특히 이재용 회장은 초격차 반도체 기술의 근간이 되는 연구·개발(R&D)에 아낌 없는 투자를 약속했다. 삼성전자는 2028년까지 약 3만 평 규모로 기흥 R&D 연구단지를 조성하고 여기에 20조원을 투입할 계획이다.
이재용 회장은 지난해 8월 기흥 R&D 단지 기공식 현장에서 "기술 중시, 선행투자의 전통을 이어 나가자"며 "세상에 없는 기술로 미래를 만들자"고 강조했다.
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