삼성전자, HBM5 목업 첫 공개⋯발열 방지 'HPB' 기술도

[아이뉴스24 황세웅 기자] 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5 기술 방향성을 공개했다. 인공지능(AI) 반도체 시장에서 고성능 메모리 경쟁이 심화되는 가운데 열관리 기술과 토탈 솔루션 역량을 앞세워 차세대 HBM 시장 선점에 나선다는 전략이다.

삼성전자는 2일 대만 컴퓨텍스 전시장에서 HBM5 제품 목업과 차세대 열관리 기술을 선보였다.

이번에 공개한 HBM5 목업에는 차세대 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)가 적용된 구조가 반영됐다.

HPB는 AI 메모리 고성능화 과정에서 증가하는 발열 문제를 줄이기 위한 기술이다. PHY(Physical Layer) 영역에서 발생하는 열을 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 설계된 것이 특징이다.

송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 현장에서 "급변하는 AI 산업에 대응하기 위해서는 메모리, 파운드리, 로직, 패키징까지 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력이 더욱 중요해지고 있다"고 말했다.

송 사장은 AI 시스템이 초고성능·초고집적 구조로 진화하면서 메모리 성능뿐 아니라 데이터 처리 효율과 열관리 기술이 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다고 설명했다.

삼성전자는 HBM5에 별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높이는 구조를 적용할 계획이다.

회사 측은 이 기술이 향후 고대역폭·고집적 AI 환경에서 시스템 효율 향상에 기여할 것으로 보고 있다.

삼성전자는 이미 HBM4E 제품에 HPB 기술 구현과 검증을 마쳤다고 밝혔다.

구조 설계뿐 아니라 신뢰성, 패키지 안정성까지 통합적으로 검증했다는 설명이다. 향후 HBM5에 해당 기술을 본격 적용해 제품 성능과 안정성을 고도화할 방침이다.

이번 전시에서는 HBM4E 웨이퍼와 칩셋도 공개했다.

HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 베이스 다이가 결합된 구조다. 삼성전자는 이를 메모리와 파운드리, 패키징 역량을 결합한 토탈 솔루션 사례로 제시했다.

삼성전자는 지난달 29일 HBM4E 샘플 출하를 마쳤다. 해당 제품은 핀당 14Gbps로 동작하며 최대 16Gbps, 최대 4TB/s 대역폭 구현이 가능하다고 회사 측은 설명했다.

전시 공간에는 삼성전자 제품이 탑재된 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 베라 루빈도 전시됐다.

회사는 HBM4, SOCAMM2, PM1763 등 베라 루빈 시스템을 지원하는 메모리·스토리지 포트폴리오를 보유하고 있다는 점을 강조했다.

삼성전자가 지난 2월 양산 출하한 HBM4는 11.7Gbps 성능을 구현했으며 최대 13Gbps까지 지원한다. 회사 측은 고객사의 AI 시스템에서 초고속 데이터 처리를 지원할 수 있다고 밝혔다.

송 사장은 "엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획"이라고 말했다.