"삼성전자, 中 시안 변전소 폭발사고 영향 미미"

[이혜경기자] 중국 시안의 변전소 폭발사고가 일어났지만 삼성전자 시안 반도체 공장에 미치는 영향은 미미한 것으로 20일 분석됐다.

삼성전자에 따르면 지난 18일 자정 무렵 중국 산시성 시안 남쪽에 위치한 330kV급 변전소에서 폭발 사고가 발생해 삼성전자 시안 반도체 공장이 일부 영향을 받은 것으로 파악됐다.

미래에셋대우의 황준호 애널리스트는 "사고가 발생한 변전소가 시안 공장에 직접 전기를 공급하는 것이 아니기 때문에 전력 공급에는 문제가 없었지만 지역 전력망에 인접하다 보니 일시적인 전압 강하가 발생했다"며 "반도체 설비는 일시적인 전압 강하에도 매우 민감해 일부 장비 가동을 중단하고 점검에 들어간 것으로 보인다"고 전했다.

장비 점검에는 3~4일 정도 소요될 것으로 예상된다며 피해 규모는 12” 웨이퍼 기준으로 수천장 수준으로 추산했다. 또 최악의 경우 웨이퍼를 폐기한다고 가정해도 손실 규모는 100억~200억원 수준으로 미미할 것으로 전망했다.

황 애널리스트에 따르면 삼성전자의 낸드 생산능력(캐파)은 현재 12” 웨이퍼 기준으로 월 41만장 수준이다. 국내 화성 공장 Fab12과 Fab 16이 각각 월 12만장과 월 19만장이며 중국 시안 공장이 월 10만장이다. 국내 낸드 라인에서는 2D 낸드를 생산하고 있으나 중국 시안 공장은 3D 낸드(V-낸드)를 생산하고 있다.

황 애널리스트는 특히 "시안 공장에서 생산되는 3D 낸드는 삼성전자가 전 세계에서 유일하게 양산하고 있는 제품이기 때문에 경쟁사가 없는 상황"이라며 "최근 엔터프라이즈 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요 호조로 3D 낸드 수급이 타이트한 환경에서 3D 낸드의 공급이 영향을 받는다면 오히려 가격 상승의 가능성이 있다"고 지적했다.

지난 2013년 9월에 발생한 SK하이닉스의 중국 우시 D램 공장 화재 이후 D램 수급이 타이트한 국면에서 공급 차질이 발생하면서 D램 가격 상승이 더욱 가속화된 사례가 있다는 설명이다.

이 같은 점을 감안해 황 애널리스트는 이번 중국 변전소 화재에 따른 삼성전자 예상수익을 변경 하지 않았으며 투자의견과 목표주가도 유지했다. 아울러 최근 3D 낸드의 원가경쟁력 강화를 바탕으로 국내 3D 낸드 증설이 더욱 탄력 받을 것으로 내다봤다.