삼성전자 TSV D램 풀라인업 가동,'서버' 시장 잡는다

[양태훈기자] 삼성전자는 세계 최초로 3차원(3D) 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 적용, 최대 용량 및 초절전 특성을 동시에 달성한 '128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈'을 양산에 돌입한다고 26일 발표했다.

128GB D램 모듈은 20나노미터(nm, 10억분의 1미터) 공정기반의 8기가비트(Gb) DDR4 D램 칩 총 144개로 구성됐다. 외관상으로는 각 칩을 TSV적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재된 모습이다.

TSV 기술은 기존 와이어(금선)을 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수할 뿐만 아니라 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있어 더 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있는게 장점이다.

실제 128기가바이트 TSV D램 모듈은 기존 와이어 방식의 64기가바이트 D램 모듈 대비 2배 빠른 2천400메가비피에스(Mbps)의 속도를 제공, 소비전력량 역시 50% 줄어든 성능을 달성했다.

삼성전자는 연내 TSV 기술을 적용한 '128기가바이트 DDR4 LRDIMM(Load Reduced Dual In-line Memory Module)' 제품을 연이어 양산, TSV 제품군의 풀라인업을 완성한다는 계획이다.

이 제품은 데이터센터·서버용 D램 모듈의 한 종류로 대용량 구현에 최적화된 제품이다. 최근 늘어나는 고용량 D램 수요 증가에 맞춰 20나노 8Gb D램의 생산 비중을 늘려 제조 경쟁력을 한 단계 높인다는 전략.

최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 "128기가 D램 모듈 양산으로 글로벌 IT 고객들이 투자 효율성을 더욱 높인 차세대 서버 시스템을 적기에 출시할 수 있게 됐다"며, "향후 다양한 분야의 시장 선도 고객들과 기술 협력을 확대하고 글로벌 IT 시장 변화를 가속화해 소비자의 사용편리성을 높이는데 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.

한편, 삼성전자는 TSV 기술을 활용, 대역폭을 크게 끌어올린 차세대 초고속 컴퓨팅용 HBM(High Bandwidth Memory) 제품에 이어 컨슈머 시장용 제품도 적기에 양산해 새로운 프리미엄 메모리 시장 확대를 주도하겠다는 계획이다.